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膜厚均勻性2021-03-24 11:01
 膜厚均勻度是衡量薄膜質量和鍍膜裝置性能的一項重要指標。為提高膜厚均勻度，可以采取優化靶基距、改變基片運動方式、增加擋板機構和膜厚監控儀等措施。對于磁控濺射鍍膜，由于其電磁場并非均勻，尤其是不均勻的磁場分布造成不均勻的等離子密度，導致靶原子的不均勻濺射和不均勻的沉積。 第一節 磁路布置 u磁場：在各種磁控濺射（包括直流磁控濺射和射頻磁控濺射）靶中，束縛電子運動的磁場強度B是個極其重要的參數。主要是指靶面上最大平行磁場B1，該參數與所選用的磁體材料、磁體幾何形狀及其排列有關。 u改進磁路布置（其中包括磁體、極靴、間隙、形狀等）能夠改善磁場，拓寬靶刻蝕區和改善靶原子的沉積分布，從而提高膜厚的均勻度。 改變磁體形狀等因素，就改變了磁場分布，進而改變了靶材的刻蝕情況。顯然第二種情況優于第一種情況。 第二節靶——基距 u任何一臺具體的濺射鍍膜裝置，與最佳的鍍膜均勻度相對應，存在一個最佳的靶基距。 u圓形平面磁控靶的靶——基距 R1為刻蝕區內半徑； R2為刻蝕區外半徑； 經過計算，得出此類型濺射靶的最佳靶基距離h≈2R2。 u平面磁控靶的靶——基距
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