蒂姆新材料

濺射氣壓對磁控濺射成膜性能的影響鄭建潮   浙江大學信電系在直流磁控濺射過程中, 濺射氣壓( 工作氣壓)是一個很重要的參數, 它對濺射速率, 沉積速率以及薄膜的質量都有很大的影響。氣體分子從一次碰撞到相鄰的下一次碰撞所通過的距離的統計平均值, 稱之為平均自由程。從分子的平均自由程的角度來說, 濺射氣體壓力低時濺射粒子的平均自由程大, 與氣體離子的碰撞的幾率小, 使沉積速率增大。但是, 濺射氣...

SiO2薄膜制備的現行方法綜述(1)時間:2009-09-06　　來源:中國計量學院質量與安全工程學院　　編輯:曾其勇　　在導電基體上制作薄膜傳感器的過程中，需要在基體與薄膜電極之間沉積一層絕緣膜。二氧化硅薄膜具有良好的絕緣性能，并且穩定性...

磁控濺射制備鍺薄膜文獻匯總 1.磁控濺射法制備的鍺薄膜以及過渡金屬摻雜鍺薄膜的特性研究作者：王艷燕   單位：延邊大學鏈接：http://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10184-1013321202.htm摘...

1.電子束蒸鍍厚SiO2膜的工藝研究文獻鏈接：http://qikan.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=5294110作者：伍曉明 作者單位：清華大學精密儀器系摘要：本文研究了用電子束蒸鍍工藝制備用于光波...

直流濺射制備鋁薄膜的文獻參考：1.直流磁控濺射制備鋁薄膜的工藝研究作者：陳國良，郭太良摘要：采用直流磁控濺射方法,以高純Al為靶材,高純Ar為濺射氣體,在玻璃襯底上成功地制備了鋁薄膜,并對鋁膜的沉積速率,結構和表面形貌進行了研究.結果表明:...

射頻濺射與直流濺射不同工藝制備ITO薄膜文獻匯總，ITO薄膜制備，ITO靶材，蒂姆北京新材料，蒂姆新材料，ITO鍍膜

磁控濺射制備二氧化釩薄膜的參考文獻匯總，VO2薄膜，濺射鍍膜，二氧化釩靶材鍍膜，二氧化釩薄膜

磁控濺射法ZnO薄膜制備工藝的優化　　用射頻磁控濺射制備ZnO 薄膜，研究了濺射功率、濺射氣體中氧氬以及工作氣壓對薄膜結構和光學性能的影響。通過對不同制備條件下的薄膜結構和薄膜的室溫透射譜的分析，得到了磁控濺射制備ZnO 薄膜的最佳工藝參數...

MgO/Au復合薄膜的反應射頻磁控濺射法制備及表面形貌研究　　采用反應射頻磁控濺射法制備MgO/Au 復合薄膜，并對使用Mg 靶和Au 靶共濺射、分步濺射方式以及在不同的襯底溫度和Ar /O2氣體流量比下制備的樣品進行X 射線光電子能譜、X...

Zn摻雜TiO2薄膜紫外探測器及其光電性能研究　　近年來TiO2與ZnO等作為紫外探測材料已引起人們的關注。TiO2是一種禁帶寬度較大的半導體材料，其銳鈦礦相TiO2帶隙約為3.2eV，具有較高的載流子遷移率，能勝任高溫和腐蝕性環境，有利于...

多層膜CIA預制層后硒化法制備Cu(In1- xAlx)Se2薄膜的研究　　本文用真空蒸發法在玻璃襯底上蒸鍍Cu- In- Al 多層膜，后采用真空硒化退火獲得Al 含量不同的Cu(In1- xAlx)Se2多晶薄膜。通過SEM和XRD 微...

襯底對CVD生長石墨烯的影響研究　　石墨烯有獨特的結構和優異的性能，在電子、信息、能源、材料和生物醫藥等領域都有著廣闊的應用前景。為了更好的應用這種新型材料，如何大規?？煽睾铣筛哔|量石墨烯是一個必須克服的困難。相比與機械剝離法、化學氧化還原...

王怡    北京石油化工學院數理系　用射頻磁控濺射制備ZnO 薄膜，研究了濺射功率、濺射氣體中氧氬以及工作氣壓對薄膜結構和光學性能的影響。通過對不同制備條件下的薄膜結構和薄膜的室溫透射譜的分析，得到了磁控濺射制備ZnO 薄膜的最佳工藝參數。...

硅緩沖層提高選區外延生長硅基鍺薄膜質量摘要： 研究了Si緩沖層對選區外延Si基Ge薄膜的晶體質量的影響.利用超高真空化學氣相沉積系統,結合低溫Ge緩沖層和選區外延技術,通過插入Si緩沖層,在Si/SiO2圖形襯底上選擇性外延生長Ge薄膜.采...

王存濤    山東師范大學物理與電子科學學院利用多靶磁控濺射系統制備了一系列坡莫合金薄膜樣品Ta(4nm)/ZnO(t)/Ni81Fe19(20nm)/ZnO(t)/Ta(3nm)，研究了ZnO插層厚度、基片溫度對坡莫合金薄膜各向異性磁電阻...

劉俊勇   福州大學材料科學與工程學院以磁控濺射方法沉積TiO2 薄膜和Cu上電極層，制備Cu/TiO2/ITO阻變存儲器元件。采用原子力顯微鏡、X 射線衍射儀、X 射線光電子能譜儀對薄膜材料進行性能表征，測試結果表明：TiO2 薄膜表面平...

康振鋒    內蒙古大學物理科學與技術學院采用脈沖激光沉積(PLD)法，在多孔支撐的NiO-YSZ 陽極基底上制備YSZ電解質薄膜。利用XRD、SEM和射頻阻抗/ 材料分析儀對多層膜的物相結構、表面形貌以及電學特性等進行表征。實驗結果發現，...

綜述：磁控濺射制備的ITO薄膜綜合性能比電子束蒸發制備的性能優越。摘要：透明導電的氧化銦錫(ITO)薄膜是p型GaN的極佳的歐姆接觸材料,在作為GaN歐姆接觸材料的應用上,我們希望得到具有高可見光透過率及高導電性的ITO薄膜。ITO薄膜是摻...

摘要： 采用脈沖磁控濺射在YG10硬質合金基體上制備Ta-C(Tetrahedral amorphous carbon)涂層,通過控制石墨靶濺射時間制備得到不同性能的Ta-C涂層,采用掃描顯微鏡、納米壓痕儀以及拉曼光譜儀分析了Ta-C涂層的...

氧分壓對直流磁控濺射IGZO薄膜特性的影響,在室溫下，利用直流磁控反應濺射法分別在硅片和石英玻璃上制備IGZO 薄膜。通過控制濺射時氧分壓的不同，研究其制備I