蒂姆新材料

鍺的應用簡介鍺是重要的半導體材料，在半導體、航空航天測控、核物理探測、光纖通訊、紅外光學、太陽能電池、化學催化劑、生物醫學等領域都有廣泛而重要的應用。根據美國地質調查局數據顯示(2015)全球鍺終端用戶所占比例如下：纖維光纖30%；紅外光纖20%；聚合催化劑20%；電子和太陽能器件15%和其他(熒光粉、冶金、和化療)15%。光纖摻鍺光纖具有容量大、光損小、色散低、傳輸距離長及不受環境干擾等優...

真空設備檢漏注意事項一、真空設備設計中的注意事項1、根據設備的工藝要求，確定真空設備的總的最大允許漏率，并依據這一總漏率確定各組成部件的最大允許漏率?！　?、根據設備的最大允許漏率等指標，在設計階段就初步確定將要采用的檢漏方法，并將其作為指導調試驗收的基本原則之一?！　?、根據設備或部件的最大允許漏率指標，決定設備的密封、連接方式和總體加工精度，以及何種動密封形式能夠滿足要求。如，法蘭采用金...

鉑又稱白金，價格比黃金貴，由于它有許多優良的性質，盡管出現了各種代用品，但許多分析工作仍然離不開鉑。鉑的熔點高達1774℃，化學性質穩定，在空氣中灼燒后不起化學變化，也不吸收水分，大多數化學試劑對它無侵蝕作用，耐氫氟酸性能好，能耐熔融的堿金屬的碳酸鹽。因而常用于沉淀灼燒稱重、氫氟酸溶樣以及碳酸鹽的熔融處理。鉑坩堝適用于灼燒沉淀。鉑制小舟、鉑絲圈用于有機分析灼樣品。鉑絲、鉑片常用于電化學分析中...

(一) 鉑坩堝1、鉑是一種貴重金屬，焙點約為1770度，質軟，使用時不要用手捏，以防變形。也不能用玻璃棒搗刮鉑坩堝內壁，以防損傷。也不要將紅熱的鉑坩堝放人冷水中驟冷。2、鉑坩堝的加熱和灼燒，均應在墊有石棉板或陶瓷板的電爐或電熱板上進行，或在煤氣燈的氧化焰上進行，不能與電爐絲、鐵板及還原焰接觸，因為在高溫下鐵易與鉑形成合金，還原性氣體能與鉑形成碳化鉑，使鉑坩堝變脆。濾紙如在鉑坩堝中灼烷，應在低...

一、 天平的稱量方法1、 直接稱量法：對一些在空氣中無吸濕性的試樣或試劑如金屬或合金等，可用直接法稱量。稱量時將表面皿或其他稱量容器放于秤盤中央，去皮，然后將試樣置于稱量容器中，即得到試樣的質量。2、 固定質量稱量法：分析實驗中為準確稱取某一指定質量的試樣，可用固定質量法稱量。稱量時將表面皿或其他稱量容器放于秤盤中央，去皮，然后用藥勺盛試樣（試樣一般要預先研細），在容器上方輕輕振動，使試樣徐...

石墨坩堝雖然具有體積密度高、耐高溫、傳熱快、耐酸堿腐蝕、耐高溫、耐氧化等特點，但對于單個原料的精煉來說，使用坩堝后的清洗工作非常麻煩。清潔石墨坩堝的首要任務是清除坩堝中的化學物質，然后進行清潔。我們需要根據石墨坩堝中殘留的物質來決定要清洗什么。1.一般來說，石墨坩堝上的粘合劑是無機燃燒的殘留物。我們可以用鹽酸清洗，其中大部分是可溶的，有些含碳的殘渣不能用鹽酸溶解。硝酸氧化性強，清洗時可適當加...

氮化硼陶瓷坩堝真空下使用溫度1800度，氣氛保護下使用溫度2100度。氮氣或者氬氣氣氛使用最佳，壽命最長。氮化硼坩堝抗熱震強，1500度急冷不開裂，1000度爐內保溫20分鐘取出來吹風急冷連續反復上百次不會開裂。 使用注意事項：1 空氣中使用溫度不能超過1000度，超過1000度氮化硼與氧氣接觸表面會氧化剝落。2 氮化硼易吸潮，坩堝不能存放潮濕區域，不能水洗，可直接用砂紙擦除或者用酒精擦洗。...

蒸發源是用來加熱膜材使之氣化蒸發的裝置。目前所用的蒸發源主要有電阻加熱，電子束加熱，感應加熱，電弧加熱和激光加熱等多種形式。電阻加熱式蒸發源的發熱材料一般選用W、Mo、Ta、Nb等高熔點金屬，Ni、Ni-Cr合金。把它們加工成各種合適的形狀，在其上盛裝待蒸發的膜材。一般采用大電流通過蒸發源使之發熱，對膜材直接加熱蒸發，或把膜材放入石墨及某些耐高溫的金屬氧化物（如Al2O3，BeO）等材料制成...

電阻蒸發鍍：電阻蒸發源用于蒸發低熔點材料，如金、銀、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等。電阻蒸發源一般采用鎢、鉬、鉭制作。2.電子束蒸發鍍：利用電子束加熱使膜材汽化蒸發后，凝結在基片表面成膜是真空蒸鍍技術中一種重要的加熱方法。這種裝置的種類很多。隨著薄膜技術的廣泛應用，不但對膜的種類要求繁多，而且對膜的質量要求更加嚴格。電阻蒸發鍍已不能滿足蒸鍍某些金屬和非金屬的需要。電子束熱源能獲得遠比電阻熱源更...

一、表面粗糙度的概念零件在機械加工過程中，由于切削時金屬表面的塑性變形和機床震動以及刀具在表面上留下的刀痕等因素的影響，使零件的各個表面，不管加工的多么光滑，至于顯微鏡下觀察，都可以看到峰谷高低不平的情況，如圖。加工表面上具有較小間距的峰谷...

隨著光電子產業的日益發展，許多成像和數碼顯示的各種產品越來越趨于高亮度、超高清晰度、超大面積、超精細的結構方向發展，因而對光電子產業所使用的材料也趨于更高要求。例如極好的、安定的折射率，極高的密度、純度和高透光度的均質化材料被不斷開發和應用...

濺射(濺射)工藝是VLSI制造過程中反復使用的物理氣相沉積(PVD)技術之一。它是制備電子薄膜材料的主要技術之一。它利用離子源產生的離子加速高真實空氣中的聚集并形成高速離子束。固體表面的轟擊，離子與固體表面原子之間的動能交換，使得固體表面的...

濺射是制備薄膜材料的主要技術之一。它利用離子源產生的離子加速離子在真空中的積累，形成高速離子束，轟擊固體表面，并在離子與固體表面的表面之間交換能量，使固體表面的原子與固體和沉積在基座表面上并被轟擊。固體是濺射薄膜的原材料，被稱為濺射靶材。濺...

磁控濺射靶靶型分類u靶型開發的歷程大致如下：首先開發的是軸狀靶→圓盤形平面靶→S-槍→矩形平面靶→各種異形靶→對靶或孿生靶→靶面旋轉的圓柱靶→靶-弧復合靶→……，目前應用最廣泛的是矩形平面靶，未來最受關注的是旋轉圓柱靶和靶-弧復合靶。u同軸...

1．概漏的基本概念真空檢漏就是檢測真空系統的漏氣部位及其大小的過程。漏氣也叫實漏，是氣體通過系統上的漏孔或間隙從高壓側流到低壓側的現象。虛漏，是相對實漏而言的一種物理現象。這種現象是由于材料放氣、解吸、凝結氣體的再蒸發、氣體通過器壁的滲透及...

選用真空泵時，需要注意的事項1、真空泵的工作壓強應該滿足真空設備的極限真空及工作壓強要求?！　∪纾赫婵斟兡ひ?×10-5mmHg的真空度，選用的真空泵的真空度至少要5×10-6mmHg。通常選擇泵的真空度要高于真空設備真空度半個到一個數量...

半導體與絕緣體SiGaAsGeαSiCSiO2Si3N4密度(g/cm3)2.335.325.323.212.23.1擊穿場強(MV/cm)0.30.50.12.31010介電常數11.712.916.26.523.97.5禁帶寬度(eV)...

1. 真空區域劃分真空區域壓強范圍托(Torr)帕(Pa)低真空760~10101325～1333中真空10~10-31333～1.33×10-1高真空10-3~10-81.33×10-1～10-6超高真空10-8~10-1210-6～10...

1.常用單位單位相當于埃0.1納米10-10米納米10埃10-9米靶10-24厘米210-28米2特斯拉1韋伯/米2104高斯大氣壓1.013×105牛頓/米2電子伏1.602189×10-19焦耳焦耳10-7爾格6.241461×1018...

隨著經濟的發展和社會生活水平的提高，真空鍍膜技術在越來越多的領域使用，如何監控淀積的膜厚，目前采用石英晶體振蕩監控法和光學膜厚監控法，我司金洛多年來致力于石英晶體振蕩監控法的核心部件晶振片研究、生產，并總結了一些經驗與同仁共同控討。1、原理...